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SMRF5025S-820K

Gowanda

Nonstandard
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF5025S-820K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 590mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
590mOhm Max
Abmessungen
0.500" L x 0.240" W (12.70mm x 6.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF5025S-820K.

Induktivität
820 nH

SMRF5025S-820K hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

SMRF5025S-820K ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
590mOhm Max

SMRF5025S-820K hat einen DC-Widerstand von 590mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SMRF5025S-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±10%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)590mOhm Max
Sättigungsstrom800mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.500" L x 0.240" W (12.70mm x 6.10mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 820NH 800MA 590 MOHM
SerieSMRF5025S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialPhenolic
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz40 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz180MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.230" (5.84mm)

Vorschau

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