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SNG-25DB-086

SNG-25DB-086

KEMET

Vertical, 2 Wire Leads
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SNG-25DB-086 von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 86 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 20mOhm Max, Gehäusegröße Vertical, 2 Wire Leads. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
86 µH
DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max
Abmessungen
1.929" L x 0.945" W (49.00mm x 24.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SNG-25DB-086.

Induktivität
86 µH

SNG-25DB-086 hat eine Induktivität von 86 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max

SNG-25DB-086 hat einen DC-Widerstand von 20mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Vertical, 2 Wire Leads

SNG-25DB-086 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Vertical, 2 Wire Leads. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität86 µH
Toleranz-30%, +50%
DC-Widerstand (DCR)20mOhm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen1.929" L x 0.945" W (49.00mm x 24.00mm)
Gehäuse / GrößeVertical, 2 Wire Leads
Gehäuse / AusführungVertical, 2 Wire Leads
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 86UH 20 MOHM CHASS
SerieSNG
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialNickel Zinc Ferrite (NiZn)
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz160 kHz
MontageartChassis Mount
Höhe - sitzend (max.)1.535" (39.00mm)

Vorschau

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