Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SP1210R-222G von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 922 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 211mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SP1210R-222G.
SP1210R-222G hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SP1210R-222G ist für 922 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SP1210R-222G hat einen DC-Widerstand von 211mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SP1210R-222G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 922 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 211mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 892mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.138" L x 0.105" W (3.51mm x 2.66mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 922MA 211 MOHM |
| Serie | SP1210R |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.101" (2.57mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/SP1210R-222G/4189256 |
