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SRN2010BTA-150M

SRN2010BTA-150M

Bourns Inc.

0806 (2016 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRN2010BTA-150M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 µH, Nennstrom 600 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.44Ohm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
15 µH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.44Ohm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN2010BTA-150M.

Induktivität
15 µH

SRN2010BTA-150M hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

SRN2010BTA-150M ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.44Ohm Max

SRN2010BTA-150M hat einen DC-Widerstand von 1.44Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

SRN2010BTA-150M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität15 µH
Toleranz±20%
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)1.44Ohm Max
Sättigungsstrom460mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 15UH 600MA 1.44 OHM
SerieSRN2010BTA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz10 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz24MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

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