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SRN6045TA-121M

SRN6045TA-121M

Bourns Inc.

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 120UH 850MA 500 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 µH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
500mOhm
Abmessungen
0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN6045TA-121M.

Induktivität
120 µH

SRN6045TA-121M hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

SRN6045TA-121M ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
500mOhm

SRN6045TA-121M hat einen DC-Widerstand von 500mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SRN6045TA-121M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität120 µH
Toleranz±20%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)500mOhm
Sättigungsstrom1.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 120UH 850MA 500 MOHM
SerieSRN6045TA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz15 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz7MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.177" (4.50mm)
Merkmale-

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