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SRN6045TA-8R2M

SRN6045TA-8R2M

Bourns Inc.

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 3.4A 55.2 MOHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
3.4 A
DC-Widerstand (DCR)
55.2mOhm Max
Abmessungen
0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN6045TA-8R2M.

Induktivität
8.2 µH

SRN6045TA-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.4 A

SRN6045TA-8R2M ist für 3.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
55.2mOhm Max

SRN6045TA-8R2M hat einen DC-Widerstand von 55.2mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SRN6045TA-8R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.4 A
DC-Widerstand (DCR)55.2mOhm Max
Sättigungsstrom5.1A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 3.4A 55.2 MOHM
SerieSRN6045TA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz15 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz27MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.177" (4.50mm)
Merkmale-

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