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SRN8040HA-1R0M

SRN8040HA-1R0M

Bourns Inc.

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 8.5A 10 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
8.5 A
DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max
Abmessungen
0.321" L x 0.311" W (8.15mm x 7.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN8040HA-1R0M.

Induktivität
1 µH

SRN8040HA-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
8.5 A

SRN8040HA-1R0M ist für 8.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max

SRN8040HA-1R0M hat einen DC-Widerstand von 10mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SRN8040HA-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom8.5 A
DC-Widerstand (DCR)10mOhm Max
Sättigungsstrom13.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
Abmessungen0.321" L x 0.311" W (8.15mm x 7.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 1UH 8.5A 10 MOHM SMD
SerieSRN8040HA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz15 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz85MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.165" (4.20mm)
Merkmale-

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