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SRP1050WA-8R2M

SRP1050WA-8R2M

Bourns Inc.

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 10.3A 20.5 MOHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
10.3 A
DC-Widerstand (DCR)
20.5mOhm Max
Abmessungen
0.433" L x 0.394" W (11.00mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRP1050WA-8R2M.

Induktivität
8.2 µH

SRP1050WA-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
10.3 A

SRP1050WA-8R2M ist für 10.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20.5mOhm Max

SRP1050WA-8R2M hat einen DC-Widerstand von 20.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SRP1050WA-8R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom10.3 A
DC-Widerstand (DCR)20.5mOhm Max
Sättigungsstrom14A
Betriebstemperatur-55°C ~ 165°C
Abmessungen0.433" L x 0.394" W (11.00mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 10.3A 20.5 MOHM
SerieSRP1050WA
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz20 @ 100kHz
Eigenresonanzfrequenz11MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.213" (5.40mm)
Merkmale-

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