Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRP5020C-8R2M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 2.6 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 171mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRP5020C-8R2M.
SRP5020C-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SRP5020C-8R2M ist für 2.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SRP5020C-8R2M hat einen DC-Widerstand von 171mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SRP5020C-8R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.6 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 171mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 4A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.224" L x 0.205" W (5.70mm x 5.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 2.6A 171 MOHM |
| Serie | SRP5020C |
| Produktstatus | Obsolete |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 100kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 15MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
