SRP5030HMCT-2R2M

SRP5030HMCT-2R2M

Bourns Inc.

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRP5030HMCT-2R2M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 12 A Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 14.4 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
12 A Typ
DC-Widerstand (DCR)
14.4 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRP5030HMCT-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

SRP5030HMCT-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
12 A Typ

SRP5030HMCT-2R2M ist für 12 A Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14.4 mOhm Max

SRP5030HMCT-2R2M hat einen DC-Widerstand von 14.4 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom12 A Typ
DC-Widerstand (DCR)14.4 mOhm Max
Sättigungsstrom12.5 A Typ
LieferantBourns Inc.
BeschreibungIND 2.2UH 20% 12A SHLD
ProduktstatusActive

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