Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRP5030HMCT-4R7M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 8.5 A Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 32.4 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRP5030HMCT-4R7M.
SRP5030HMCT-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SRP5030HMCT-4R7M ist für 8.5 A Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SRP5030HMCT-4R7M hat einen DC-Widerstand von 32.4 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 8.5 A Typ |
| DC-Widerstand (DCR) | 32.4 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 10 A Typ |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | IND 4.7UH 20% 8.5A SHLD |
| Produktstatus | Active |
