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SRP5050FA-8R2M

SRP5050FA-8R2M

Bourns Inc.

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 6.1A 32.5 MOHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
6.1 A
DC-Widerstand (DCR)
32.5mOhm Max
Abmessungen
0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRP5050FA-8R2M.

Induktivität
8.2 µH

SRP5050FA-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.1 A

SRP5050FA-8R2M ist für 6.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
32.5mOhm Max

SRP5050FA-8R2M hat einen DC-Widerstand von 32.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SRP5050FA-8R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom6.1 A
DC-Widerstand (DCR)32.5mOhm Max
Sättigungsstrom7.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 6.1A 32.5 MOHM
SerieSRP5050FA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz15MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.197" (5.00mm)
Merkmale-

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