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SRR1210-820M

SRR1210-820M

Bourns Inc.

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 82UH 2.8A 112 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
82 µH
Nennstrom
2.8 A
DC-Widerstand (DCR)
112mOhm Max
Abmessungen
0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRR1210-820M.

Induktivität
82 µH

SRR1210-820M hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.8 A

SRR1210-820M ist für 2.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
112mOhm Max

SRR1210-820M hat einen DC-Widerstand von 112mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SRR1210-820M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität82 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.8 A
DC-Widerstand (DCR)112mOhm Max
Sättigungsstrom2.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 82UH 2.8A 112 MOHM SMD
SerieSRR1210
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz15 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz3.5MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.394" (10.00mm)
Merkmale-

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