Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRU2013-1R0Y von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 65mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRU2013-1R0Y.
SRU2013-1R0Y hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SRU2013-1R0Y ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SRU2013-1R0Y hat einen DC-Widerstand von 65mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SRU2013-1R0Y verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 2.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 65mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.6A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.110" L x 0.110" W (2.80mm x 2.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 2.2A 65 MOHM SMD |
| Serie | SRU2013 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 9 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 180MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.059" (1.50mm) |
