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SRU8045A-6R2Y

SRU8045A-6R2Y

Bourns Inc.

4-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 6.2UH 4.2A 36 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
6.2 µH
Nennstrom
4.2 A
DC-Widerstand (DCR)
36mOhm Max
Abmessungen
0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRU8045A-6R2Y.

Induktivität
6.2 µH

SRU8045A-6R2Y hat eine Induktivität von 6.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.2 A

SRU8045A-6R2Y ist für 4.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
36mOhm Max

SRU8045A-6R2Y hat einen DC-Widerstand von 36mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
4-SMD

SRU8045A-6R2Y verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 4-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 11.6.2026
Induktivität6.2 µH
Toleranz±30%
Nennstrom4.2 A
DC-Widerstand (DCR)36mOhm Max
Sättigungsstrom3.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe4-SMD
Gehäuse / Ausführung4-SMD
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 6.2UH 4.2A 36 MOHM SMD
SerieSRU8045A
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz10 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz23MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.189" (4.80mm)
Merkmale-

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