Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TPI118082L180N von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 180 nH, Nennstrom 50 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.29mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TPI118082L180N.
TPI118082L180N hat eine Induktivität von 180 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TPI118082L180N ist für 50 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TPI118082L180N hat einen DC-Widerstand von 0.29mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TPI118082L180N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 180 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 50 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.29mOhm |
| Sättigungsstrom | 79A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.441" L x 0.315" W (11.20mm x 8.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 180NH 50A 0.29 MOHM |
| Serie | TPI |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.323" (8.20mm) |
