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TYA2016108R2M-10

TYA2016108R2M-10

Laird

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 660MA 870 MOHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
660 mA
DC-Widerstand (DCR)
870mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYA2016108R2M-10.

Induktivität
8.2 µH

TYA2016108R2M-10 hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
660 mA

TYA2016108R2M-10 ist für 660 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
870mOhm Max

TYA2016108R2M-10 hat einen DC-Widerstand von 870mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

TYA2016108R2M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom660 mA
DC-Widerstand (DCR)870mOhm Max
Sättigungsstrom860mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 660MA 870 MOHM
SerieTYA201610
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.045 (1.15mm)
Merkmale-

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