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TYA252012100M-10

TYA252012100M-10

Laird

1007 (2518 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 850MA 480 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
480mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYA252012100M-10.

Induktivität
10 µH

TYA252012100M-10 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

TYA252012100M-10 ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
480mOhm Max

TYA252012100M-10 hat einen DC-Widerstand von 480mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1007 (2518 Metric)

TYA252012100M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1007 (2518 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)480mOhm Max
Sättigungsstrom1.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1007 (2518 Metric)
Gehäuse / Ausführung1007 (2518 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 10UH 850MA 480 MOHM
SerieTYA252012
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1007
Höhe - sitzend (max.)0.053 (1.35mm)
Merkmale-

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