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TYA2520123R3M-10

TYA2520123R3M-10

Laird

1007 (2518 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 1.5A 215 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.5 A
DC-Widerstand (DCR)
215mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYA2520123R3M-10.

Induktivität
3.3 µH

TYA2520123R3M-10 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.5 A

TYA2520123R3M-10 ist für 1.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
215mOhm Max

TYA2520123R3M-10 hat einen DC-Widerstand von 215mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1007 (2518 Metric)

TYA2520123R3M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1007 (2518 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.5 A
DC-Widerstand (DCR)215mOhm Max
Sättigungsstrom1.7A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1007 (2518 Metric)
Gehäuse / Ausführung1007 (2518 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.5A 215 MOHM
SerieTYA252012
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1007
Höhe - sitzend (max.)0.053 (1.35mm)
Merkmale-

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