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TYS201610L1R0M-1A

TYS201610L1R0M-1A

Laird

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 1.45A 114 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.45 A
DC-Widerstand (DCR)
114mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS201610L1R0M-1A.

Induktivität
1 µH

TYS201610L1R0M-1A hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.45 A

TYS201610L1R0M-1A ist für 1.45 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
114mOhm Max

TYS201610L1R0M-1A hat einen DC-Widerstand von 114mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

TYS201610L1R0M-1A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.45 A
DC-Widerstand (DCR)114mOhm Max
Sättigungsstrom1.65A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1UH 1.45A 114 MOHM SMD
SerieTYS201610L
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz77MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse806
Höhe - sitzend (max.)0.043 (1.10mm)
Merkmale-

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