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TYS201610L3R3M-1A

TYS201610L3R3M-1A

Laird

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 850MA 345 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
345mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS201610L3R3M-1A.

Induktivität
3.3 µH

TYS201610L3R3M-1A hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

TYS201610L3R3M-1A ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
345mOhm Max

TYS201610L3R3M-1A hat einen DC-Widerstand von 345mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

TYS201610L3R3M-1A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)345mOhm Max
Sättigungsstrom1.02A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 850MA 345 MOHM
SerieTYS201610L
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz39MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse806
Höhe - sitzend (max.)0.043 (1.10mm)
Merkmale-

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