Beschreibung
FIXED IND 1UH 2.1A 108 MOHM SMD
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS252010L1R0M-1A.
TYS252010L1R0M-1A hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TYS252010L1R0M-1A ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TYS252010L1R0M-1A hat einen DC-Widerstand von 108mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TYS252010L1R0M-1A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von TYS252010L1R0M-1A weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 108mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.13A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 2.1A 108 MOHM SMD |
| Serie | TYS252010L |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | 86MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047 (1.20mm) |
| Merkmale | - |
