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TYS252010L1R5N-10

TYS252010L1R5N-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1.5UH 1.3A 182 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
1.3 A
DC-Widerstand (DCR)
182mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS252010L1R5N-10.

Induktivität
1.5 µH

TYS252010L1R5N-10 hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.3 A

TYS252010L1R5N-10 ist für 1.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
182mOhm Max

TYS252010L1R5N-10 hat einen DC-Widerstand von 182mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS252010L1R5N-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.3 A
DC-Widerstand (DCR)182mOhm Max
Sättigungsstrom1.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 1.3A 182 MOHM
SerieTYS252010L
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz79MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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