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TYS252012L100M-10

TYS252012L100M-10

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 620MA 637 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
620 mA
DC-Widerstand (DCR)
637mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS252012L100M-10.

Induktivität
10 µH

TYS252012L100M-10 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
620 mA

TYS252012L100M-10 ist für 620 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
637mOhm Max

TYS252012L100M-10 hat einen DC-Widerstand von 637mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

TYS252012L100M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom620 mA
DC-Widerstand (DCR)637mOhm Max
Sättigungsstrom790mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 10UH 620MA 637 MOHM
SerieTYS252012L
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz34MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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