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TYS252012L150M-10

TYS252012L150M-10

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 15UH 420MA 1.469 OHM

Technische Daten

Induktivität
15 µH
Nennstrom
420 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.469Ohm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS252012L150M-10.

Induktivität
15 µH

TYS252012L150M-10 hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
420 mA

TYS252012L150M-10 ist für 420 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.469Ohm Max

TYS252012L150M-10 hat einen DC-Widerstand von 1.469Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

TYS252012L150M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität15 µH
Toleranz±20%
Nennstrom420 mA
DC-Widerstand (DCR)1.469Ohm Max
Sättigungsstrom680mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 15UH 420MA 1.469 OHM
SerieTYS252012L
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz25MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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