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TYS252012L4R7M-10

TYS252012L4R7M-10

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 840MA 348 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
840 mA
DC-Widerstand (DCR)
348mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS252012L4R7M-10.

Induktivität
4.7 µH

TYS252012L4R7M-10 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
840 mA

TYS252012L4R7M-10 ist für 840 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
348mOhm Max

TYS252012L4R7M-10 hat einen DC-Widerstand von 348mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

TYS252012L4R7M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom840 mA
DC-Widerstand (DCR)348mOhm Max
Sättigungsstrom1.12A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 840MA 348 MOHM
SerieTYS252012L
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz47MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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