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TYS3012100M-10

TYS3012100M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 830MA 344.5 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
830 mA
DC-Widerstand (DCR)
344.5mOhm Max
Abmessungen
0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS3012100M-10.

Induktivität
10 µH

TYS3012100M-10 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
830 mA

TYS3012100M-10 ist für 830 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
344.5mOhm Max

TYS3012100M-10 hat einen DC-Widerstand von 344.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS3012100M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom830 mA
DC-Widerstand (DCR)344.5mOhm Max
Sättigungsstrom600mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 10UH 830MA 344.5 MOHM
SerieTYS3012
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz42MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3012
Höhe - sitzend (max.)0.055 (1.40mm)
Merkmale-

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