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TYS30156R8M-10

TYS30156R8M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 850MA 200 MOHM

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max
Abmessungen
0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS30156R8M-10.

Induktivität
6.8 µH

TYS30156R8M-10 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

TYS30156R8M-10 ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max

TYS30156R8M-10 hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS30156R8M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm Max
Sättigungsstrom850mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 850MA 200 MOHM
SerieTYS3015
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz39MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.067 (1.70mm)
Merkmale-

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