Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TYS30156R8M-10 von Laird. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS30156R8M-10.
TYS30156R8M-10 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TYS30156R8M-10 ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TYS30156R8M-10 hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TYS30156R8M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 850 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 200mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 850mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 850MA 200 MOHM |
| Serie | TYS3015 |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 39MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.067 (1.70mm) |
