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TYS50201R0N-10

TYS50201R0N-10

Laird

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 3.8A 20 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
3.8 A
DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS50201R0N-10.

Induktivität
1 µH

TYS50201R0N-10 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.8 A

TYS50201R0N-10 ist für 3.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max

TYS50201R0N-10 hat einen DC-Widerstand von 20mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

TYS50201R0N-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom3.8 A
DC-Widerstand (DCR)20mOhm Max
Sättigungsstrom4.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1UH 3.8A 20 MOHM SMD
SerieTYS5020
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz114MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.079 (2.00mm)
Merkmale-

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