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TYS5040100M-10

TYS5040100M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 2.1A 64 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
2.1 A
DC-Widerstand (DCR)
64mOhm Max
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS5040100M-10.

Induktivität
10 µH

TYS5040100M-10 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.1 A

TYS5040100M-10 ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
64mOhm Max

TYS5040100M-10 hat einen DC-Widerstand von 64mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS5040100M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.1 A
DC-Widerstand (DCR)64mOhm Max
Sättigungsstrom2.35A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 10UH 2.1A 64 MOHM SMD
SerieTYS5040
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz18MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.165 (4.20mm)
Merkmale-

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