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TYS6045101M-10

TYS6045101M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 800MA 433 MOHM

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
433mOhm
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS6045101M-10.

Induktivität
100 µH

TYS6045101M-10 hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

TYS6045101M-10 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
433mOhm

TYS6045101M-10 hat einen DC-Widerstand von 433mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS6045101M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)433mOhm
Sättigungsstrom950mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 100UH 800MA 433 MOHM
SerieTYS6045
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz4.2MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.185 (4.70mm)
Merkmale-

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