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TYS8040221M-10

TYS8040221M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 220UH 800MA 599 MOHM

Technische Daten

Induktivität
220 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
599mOhm Max
Abmessungen
0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS8040221M-10.

Induktivität
220 µH

TYS8040221M-10 hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

TYS8040221M-10 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
599mOhm Max

TYS8040221M-10 hat einen DC-Widerstand von 599mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS8040221M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität220 µH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)599mOhm Max
Sättigungsstrom850mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 220UH 800MA 599 MOHM
SerieTYS8040
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz3.5MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.165 (4.20mm)
Merkmale-

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