Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil UP2-1R0-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 8.1mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für UP2-1R0-R.
UP2-1R0-R hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
UP2-1R0-R ist für 9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
UP2-1R0-R hat einen DC-Widerstand von 8.1mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
UP2-1R0-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 8.1mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 9.9A |
| Abmessungen | 0.541" L x 0.345" W (13.74mm x 8.76mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 9A 8.1 MOHM SMD |
| Serie | UNI-PAC™ 2 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.231" (5.86mm) |
