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UP2C-1R0-R

UP2C-1R0-R

Eaton - Electronics Division

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 9.8A 3.9 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
9.8 A
DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm
Abmessungen
0.508" L x 0.370" W (12.90mm x 9.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für UP2C-1R0-R.

Induktivität
1 µH

UP2C-1R0-R hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9.8 A

UP2C-1R0-R ist für 9.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm

UP2C-1R0-R hat einen DC-Widerstand von 3.9mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

UP2C-1R0-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom9.8 A
DC-Widerstand (DCR)3.9mOhm
Sättigungsstrom11.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.508" L x 0.370" W (12.90mm x 9.40mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantEaton - Electronics Division,WEC
BeschreibungFIXED IND 1UH 9.8A 3.9 MOHM SMD
SerieUNI-PAC™ 2C
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.205" (5.20mm)
Merkmale-

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