Mô tả
Trang thông tin kỹ thuật và so sánh thông số cho linh kiện điện tử DFE201208S-1R0M=P2 từ hãng muRata. Các thông số hiện có gồm độ tự cảm 1uH, dòng điện định mức 2.1A, điện trở thuần (DCR) 84mΩ, kích thước đóng gói 0805. Bạn có thể xem PDF datasheet và so sánh các mẫu thay thế tiềm năng có thông số tương tự.
Thông Số Kỹ Thuật
Hướng dẫn thông số
Hiểu các thông số điện và cơ khí quan trọng của DFE201208S-1R0M=P2.
DFE201208S-1R0M=P2 có giá trị độ tự cảm 1uH. Giá trị này cho biết linh kiện có thể lưu trữ bao nhiêu năng lượng từ trường và là một trong những thông số đầu tiên cần so sánh khi chọn cuộn cảm.
DFE201208S-1R0M=P2 có dòng định mức 2.1A. Dòng định mức giúp xác định linh kiện có thể chịu dòng DC hoặc RMS dự kiến mà không bị nóng quá mức hoặc có nguy cơ bão hòa hay không.
DFE201208S-1R0M=P2 có điện trở DC 84mΩ. DCR thấp hơn thường giúp giảm tổn hao dẫn và cải thiện hiệu suất trong mạch nguồn.
DFE201208S-1R0M=P2 sử dụng gói hoặc vỏ 0805. Kích thước gói ảnh hưởng đến footprint PCB, giới hạn chiều cao, đặc tính nhiệt và khả năng tương thích với lắp ráp tự động.
Khám phá các đường dẫn datasheet liên quan
Tiếp tục từ DFE201208S-1R0M=P2 đến nhà sản xuất, dòng sản phẩm và các bộ sưu tập datasheet rộng hơn.
Thuộc tính sản phẩm
| Độ tự cảm | 1uH |
| Dung sai | ±20% |
| Dòng định mức | 2.1A |
| Điện trở DC (DCR) | 84mΩ |
| Vỏ / Kích thước | 0805 |
| Gói / Vỏ | 0805 |
| Nhà cung cấp | muRata |
| Mô tả | Chip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 2.1A, Case: 0805 |
| Loại / Cấu trúc | Chip Inductor |