描述
本页面提供 muRata 电子元器件 DFE252008U-4R7M=P2 的技术资料与参数对比。关键规格包括电感量 4.7uH、额定电流 1A、封装尺寸 1008。您可以在此查阅其 PDF 说明书，并比较同规格的候选替代型号（Cross Reference）。
规格
电感
4.7uH
额定电流
1A
参数指南
了解 DFE252008U-4R7M=P2 的主要电气和机械规格。
电感
4.7uH
DFE252008U-4R7M=P2 的电感值为 4.7uH。该值表示组件可以存储多少磁能，是选择电感时首先要比较的参数之一。
额定电流
1A
DFE252008U-4R7M=P2 的额定值为 1A。额定电流有助于确定部件是否可以承载预期的直流或 RMS 电流，而不会出现过热或饱和风险。
封装/外壳
1008
DFE252008U-4R7M=P2 使用 1008 的封装或外壳。封装尺寸会影响 PCB 占位面积、高度间隙、热行为以及与自动组装的兼容性。
产品属性
| 电感 | 4.7uH |
| 容差 | ±20% |
| 额定电流 | 1A |
| 饱和电流 | 1.6A |
| 外壳/尺寸 | 1008 |
| 封装/外壳 | 1008 |
| 供应商 | muRata |
| 描述 | Chip Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 1A, Saturation current: 1.6A, Case: 1008 |
| 类型/结构 | Chip Inductor |