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1008R-102H

Delevan

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 685MA 320 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
685 mA
DC-Widerstand (DCR)
320mOhm Max
Abmessungen
0.105" L x 0.095" W (2.66mm x 2.41mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1008R-102H.

Induktivität
1 µH

1008R-102H hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
685 mA

1008R-102H ist für 685 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
320mOhm Max

1008R-102H hat einen DC-Widerstand von 320mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

1008R-102H verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±3%
Nennstrom685 mA
DC-Widerstand (DCR)320mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.105" L x 0.095" W (2.66mm x 2.41mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantDelevan
BeschreibungFIXED IND 1UH 685MA 320 MOHM SMD
Serie1008R
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz125MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.085" (2.16mm)
Merkmalehttps://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/1008R-102H/4182722

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