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CTIHSM4825F-1R0L

CTIHSM4825F-1R0L

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 8.6A 13 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
8.6 A
DC-Widerstand (DCR)
13mOhm Max
Abmessungen
0.520 L x 0.250 W (13.20mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM4825F-1R0L.

Induktivität
1 µH

CTIHSM4825F-1R0L hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
8.6 A

CTIHSM4825F-1R0L ist für 8.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
13mOhm Max

CTIHSM4825F-1R0L hat einen DC-Widerstand von 13mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM4825F-1R0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±15%
Nennstrom8.6 A
DC-Widerstand (DCR)13mOhm Max
Sättigungsstrom4.1A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.520 L x 0.250 W (13.20mm x 6.35mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 8.6A 13 MOHM SMD
SerieCTIHSM4825F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.230 (5.84mm)
Merkmale-

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