Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1008R-222G von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 433 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1008R-222G.
1008R-222G hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1008R-222G ist für 433 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1008R-222G hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1008R-222G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 433 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 800mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.105" L x 0.095" W (2.66mm x 2.41mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, J-Lead |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 433MA 800 MOHM |
| Serie | 1008R |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 70MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.085" (2.16mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/1008R-222G/4182773 |
