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10M820J

10M820J

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 415MA 850 MOHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
415 mA
DC-Widerstand (DCR)
850mOhm Max
Abmessungen
0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M820J.

Induktivität
820 nH

10M820J hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
415 mA

10M820J ist für 415 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
850mOhm Max

10M820J hat einen DC-Widerstand von 850mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

10M820J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±5%
Nennstrom415 mA
DC-Widerstand (DCR)850mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 820NH 415MA 850 MOHM
Serie10M
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz28 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz250MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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