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CTM2F-R82K

CTM2F-R82K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 1.02A 220 MOHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
1.02 A
DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max
Abmessungen
0.156 Dia x 0.375 L (3.96mm x 9.52mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTM2F-R82K.

Induktivität
820 nH

CTM2F-R82K hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.02 A

CTM2F-R82K ist für 1.02 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max

CTM2F-R82K hat einen DC-Widerstand von 220mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTM2F-R82K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1.02 A
DC-Widerstand (DCR)220mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.156 Dia x 0.375 L (3.96mm x 9.52mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820NH 1.02A 220 MOHM
SerieCTM2F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz220MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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