Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AFSI00121109100M05 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 13 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 12mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AFSI00121109100M05.
AFSI00121109100M05 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AFSI00121109100M05 ist für 13 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AFSI00121109100M05 hat einen DC-Widerstand von 12mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AFSI00121109100M05 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 13 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 12mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 17.5A |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.472" L x 0.433" W (12.00mm x 11.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 13A 12 MOHM SMD |
| Serie | AFSI |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.346" (8.80mm) |
