Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AHP 201610FA-2R2M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 2.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AHP 201610FA-2R2M.
AHP 201610FA-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AHP 201610FA-2R2M ist für 2.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AHP 201610FA-2R2M hat einen DC-Widerstand von 120mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AHP 201610FA-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.7A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 2.3A 120 MOHM |
| Serie | AHP201610FA |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
