AISC-1008-8R2K-T
Abracon
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1008-8R2K-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 10.7Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1008-8R2K-T.
AISC-1008-8R2K-T hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AISC-1008-8R2K-T ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AISC-1008-8R2K-T hat einen DC-Widerstand von 10.7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AISC-1008-8R2K-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 150 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 10.7Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 150MA 10.7 OHM |
| Serie | AISC-1008 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 30MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.090" (2.29mm) |
