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AISC-1210HS-150K-T2

AISC-1210HS-150K-T2

Abracon

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1210HS-150K-T2 von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 µH, Nennstrom 350 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.9Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
15 µH
Nennstrom
350 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.9Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1210HS-150K-T2.

Induktivität
15 µH

AISC-1210HS-150K-T2 hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
350 mA

AISC-1210HS-150K-T2 ist für 350 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.9Ohm Max

AISC-1210HS-150K-T2 hat einen DC-Widerstand von 1.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

AISC-1210HS-150K-T2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität15 µH
Toleranz±10%
Nennstrom350 mA
DC-Widerstand (DCR)1.9Ohm Max
Sättigungsstrom400mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 15UH 350MA 1.9 OHM SMD
SerieAISC-1210HS
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz30MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.051" (1.30mm)

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