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AISC-1210HS-4R7K-T2

AISC-1210HS-4R7K-T2

Abracon

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1210HS-4R7K-T2 von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 550 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 950mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
550 mA
DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1210HS-4R7K-T2.

Induktivität
4.7 µH

AISC-1210HS-4R7K-T2 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
550 mA

AISC-1210HS-4R7K-T2 ist für 550 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max

AISC-1210HS-4R7K-T2 hat einen DC-Widerstand von 950mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

AISC-1210HS-4R7K-T2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom550 mA
DC-Widerstand (DCR)950mOhm Max
Sättigungsstrom600mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 550MA 950 MOHM
SerieAISC-1210HS
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz80MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.051" (1.30mm)

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