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AISC-1812H-4R7N-T

AISC-1812H-4R7N-T

Abracon

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 750MA 200 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
750 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1812H-4R7N-T.

Induktivität
4.7 µH

AISC-1812H-4R7N-T hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
750 mA

AISC-1812H-4R7N-T ist für 750 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max

AISC-1812H-4R7N-T hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

AISC-1812H-4R7N-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±30%
Nennstrom750 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 750MA 200 MOHM
SerieAISC-1812H
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz38MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.110" (2.80mm)
Merkmale-

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