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AL12B35N5JTR

AL12B35N5JTR

KYOCERA AVX

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 35.5NH 4A 6.8 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
35.5 nH
Nennstrom
4 A
DC-Widerstand (DCR)
6.8mOhm Max
Abmessungen
0.270 L x 0.120 W (6.86mm x 3.05mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AL12B35N5JTR.

Induktivität
35.5 nH

AL12B35N5JTR hat eine Induktivität von 35.5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4 A

AL12B35N5JTR ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
6.8mOhm Max

AL12B35N5JTR hat einen DC-Widerstand von 6.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

AL12B35N5JTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität35.5 nH
Toleranz±5%
Nennstrom4 A
DC-Widerstand (DCR)6.8mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.270 L x 0.120 W (6.86mm x 3.05mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 35.5NH 4A 6.8 MOHM SMD
SerieAL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialAir
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz112 @ 150MHz
Eigenresonanzfrequenz1.5GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.125 (3.18mm)
Merkmale-

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