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APCI00121210330M80

APCI00121210330M80

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 33UH 4.2A 45 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
4.2 A
DC-Widerstand (DCR)
45mOhm Max
Abmessungen
0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APCI00121210330M80.

Induktivität
33 µH

APCI00121210330M80 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.2 A

APCI00121210330M80 ist für 4.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
45mOhm Max

APCI00121210330M80 hat einen DC-Widerstand von 45mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APCI00121210330M80 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.2 A
DC-Widerstand (DCR)45mOhm Max
Sättigungsstrom5.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 33UH 4.2A 45 MOHM SMD
SerieAPCI
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.394" (10.00mm)
Merkmale-

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