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MGAH1005330M-10

MGAH1005330M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 33UH 4.5A 76 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
4.5 A
DC-Widerstand (DCR)
76mOhm Max
Abmessungen
0.433 L x 0.394 W (11.00mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGAH1005330M-10.

Induktivität
33 µH

MGAH1005330M-10 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.5 A

MGAH1005330M-10 ist für 4.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
76mOhm Max

MGAH1005330M-10 hat einen DC-Widerstand von 76mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MGAH1005330M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.5 A
DC-Widerstand (DCR)76mOhm Max
Sättigungsstrom5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.433 L x 0.394 W (11.00mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 33UH 4.5A 76 MOHM SMD
SerieMGAH1005
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialMetal Composite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.201 (5.10mm)
Merkmale-

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